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3 天之前 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化. 【1. 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能】. 半导体材料都更迭四代了，宽禁带材料也突破瓶颈了。. 2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做？
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2024年2月18日 其中，Wolfspeed、Coherent、罗姆等国际主要碳化硅厂商使用的晶体生长设备主要为自行研发生产，其他国际主流碳化硅衬底厂商则主要向德国PVA TePla、日本日新技研株式会社等购买长晶设备。2024年9月30日 在风力发电机、光伏逆变器、储能变流器中应用碳化硅器件，可以显著提升系统的能量转换效率和可靠性，并延长设备循环寿命和降低设备体积和重量，实现更低的LCOE（度电成本）。天科合达官网 - TanKeBlue
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2024年3月12日 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科技股份有限公司. 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案. 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服 2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其 一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破，实现 ...
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2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备过程。2023年5月5日 碳化硅既是芯片领域锻造长板的重大机会，也是快速响应新能源低碳经济、电力电子革命的重要抓手，是国家芯片和新能源战略交汇点。. 作为功率芯片定位，碳化硅芯片制程 中电科第四十八研究所巩小亮：碳化硅芯片制造装备技术发展 ...
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2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产 2023年9月27日 但由于碳化硅材料特性的不同，厂商在晶圆制造过程中需要特定的设备以及开发特定的工艺，无法与过去的硅制程设备、工艺完全通用，因此当前SiC晶圆制造产能紧缺。SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产
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3 天之前 碳化硅衬底制造 主要难点： 长晶炉分类 根据加热方式不同，长晶炉可以分为感应式与电阻式。目前市面上大多数设备都是感应式，具有成本低、结构简单、维护便利、热效率高等优点。但感应加热由于电磁感应作用，轴向温度和 2023年9月22日 碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异： （1） 离子注入是最重要的工艺。硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。碳化硅制造中的环节和设备 - 电子工程专辑 EE Times China
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2021年1月15日 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造 商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要求。同时该公司还是碳化硅换热器国家行业标准的起草领导企业 ...2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管 、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温条件下进行，以最大程度减少离子轰击对晶格的损坏。对于4H-SiC ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
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2021年7月21日 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。2021年8月3日 碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而，近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素，或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角 - 电子工程 ...
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2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在 籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶 ...2024年9月30日 北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，总部位于北京市大兴区，是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一，也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商。天科合达官网 - TanKeBlue
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2023年11月30日 近年来，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域成为功率半导体产业的持续增长点，SiC MOSFET 和 IGBT 等功率半导体获得了前所未有的 关注。 在全球碳化硅功率市场高景气的背景下，供应 2023年9月12日 这两种碳化硅晶圆生产方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。碳化硅有什么用途？碳化硅的优点 从历史上看，制造商在高温环境下使用碳化硅来制造轴承、加热机械部件、汽车制动器，甚至磨刀工具等设备。什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ - 知乎
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2024年8月26日 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备已经正式 ...2023年火电厂锅炉防磨防爆技术经验交流年会 11月8日我司参加了由中国电力技术市场协会运维检修分会，在郑州举办2023年火电厂锅炉防磨防爆技术经验交流年会，介绍了我司碳化硅燃烧器喷嘴、碳化硅燃烧器一次风管，旋流式燃烧器、碳化硅耐磨弯头等产品在火力发电中的应用。苏州上春仪监测程控设备制造有限公司_燃烧器配件_碳化硅 ...
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2024年7月19日 莱普科技 在晶圆制造领域推出了碳化硅晶圆激光退火设备；拉普拉斯 则推出了碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温退火炉，其中，碳化硅基半导体器件用超高温退火炉用于碳化硅的高温退火活化工艺，可以消除晶格缺陷，有效提高2023年4月11日 晶盛机电的业务偏向上游设备，包括碳化硅单晶炉、外延设备等，近年投入到碳化硅衬底产品研发，进度较快 ... 底主要问题还是在良率和产能上，因此在严苛的汽车应用中，比如SiC MOSFET等器件的大批量制造上几乎还不会用到国产碳化硅 衬底。 ...国内主要碳化硅衬底供应商产能分析，与海外龙头差距扩大 ...
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2023年4月25日 03.04.5多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化——碳化硅设备行业深度报告威徐乔威分析师文李启文研究助理 ... 产能端建议关注国内外厂商 8 英寸衬底进展，衬底扩径可提高晶圆利用率，降低制造成本；设备端建议关注大尺寸衬底切片设备 ...2020年6月10日 除了用烧结法制造碳化硅 制品以外，自从发明了热压烧结技术以后，碳化硅制品也可以用热压法制造，并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程，即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。这种方法在 ...碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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2023年11月12日 近年来，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域成为功率半导体产业的持续增长点，SiC MOSFET 和 IGBT ... 过去很长一段时间，这些关键设备都严重依赖进口，近年来在市场需求的拉动下，国产碳化硅设备 ...2023年5月21日 国内的碳化硅磨抛设备 厂商主要包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、深圳东荣和浙江名正 ... SiC芯片制程设备 SiC功率芯片的制造工艺流程基本与Si基功率器件类似，需要经过清洗、光刻、沉积、注入、退火、氧化 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_
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中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备已经正式 ...2024年3月6日 碳化硅（Silicon carbide，SiC）是一种重要的结构陶瓷材料，具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀、导热系数高、热膨胀系数小等优点，在机械制造、航空航天、石油化工、半导体工业等领域获得了广泛应用。但碳化硅是 大尺寸、高精度、高质量：突破碳化硅陶瓷3D打印的
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2024年8月14日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。此外，碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能。作为第三代半导体核心材料，碳化硅已逐步应用于新能源汽车功率器件、通信基站等领域中。2024年6月17日 轻量一体化，成碳化硅主要应用方向碳化硅（SiC）陶瓷凭借其比刚度大、热导率高、热变形系数小以及稳定性好等综合品质，广泛应用于航空航天、汽车工业等高端制造的电子设备、散热解决方案以及光学系统等领域。PEP工艺助力碳化硅陶瓷实现快速轻量一体化制造 - 3D打印 ...
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2023年3月13日 碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温 氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率； 器件封装过程中的减薄机需针对碳化硅材料脆硬特性改进；划片机需针对碳化硅导热性2023年11月29日 项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造 、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 ...盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑）
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2024年9月7日 核心议题： AI先进封装、Chiplet、板级封装、玻璃基板、800V快充碳化硅器件设计与制造 ... 7月8日，由诺天科技投资，株洲高科集团建设的 碳化硅半导体设备 与高纯碳化硅基材生产基地 项目主体结构顺利封顶。该项目总投资约1.5亿元，规划用地 ...2020年6月16日 半导体制造之设备 篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一 ...半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 - 知乎
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2022年3月2日 晶体生长：为碳化硅衬底制造 最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固-气-固反应）。在 2300°C 密闭、真 空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在 籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶 ...
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