首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2019年5月11日 反应烧结碳化硅，又称自结合碳化硅，是指多孔钢坯与气相或液相反应，提高钢坯质量，减少气孔，并以一定的强度和尺寸精度烧结成品的过程。 将α-SiC粉末与石墨按一定比例混合，加热到1650℃左右，形成方坯。2021年5月24日 常压烧结碳化硅是在不施加外部压力的情况下，即通常在1.01×105Pa压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在2000～2150℃间，可对不同形状和尺寸的样品进 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘-技术邻
了解更多
2021年1月14日 根据调研和分析，国际碳化硅窑具市场在向无压及反应烧结发展，无压烧结碳化硅适用烧结温度高于 1200 ℃的氧化铝等高等陶瓷；反应烧结碳化硅适用烧结温度低于1200℃ 2021年4月6日 常压烧结碳化硅是在不施加外部压力的情况下，即通常在1.01×10 5 Pa压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在2000～2150℃间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。碳化硅的常压烧结可分固相烧结和 【原创】 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘 - 中国粉体网
了解更多
2023年3月28日 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。2021年11月15日 常压烧结碳化硅是在不施加外部压力的情况下，通过添加合适的烧结助剂，在 2000～2150℃ 温度间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。. 根据烧结助剂形态的不同，碳化硅常压烧结可分固相烧结和液相烧结两 碳化硅陶瓷七大烧结工艺 - 中国粉体网
了解更多
特点. 播报. 编辑. 碳化硅 (SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其Si--C键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 2015年3月6日 本文对常压烧结碳化硅陶瓷的制备和电性能进行了研究， 为碳化硅陶瓷的使用提供理论基础。. 1 试 验常压烧结碳化硅陶瓷的制备过程主要包括：（1） 将 10μ m 的 SiC 颗粒 常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能 - 道客巴巴
了解更多
2023年3月28日 碳化硅（SiC）具有优异的高温力学性能、热学性能以及化学稳定性，是一种优异的先进陶瓷材料。这里我们只讨论作为结构材料的碳化硅，不讨论作为半导体基材的SiC。 SiC 主要有两种晶型，即高温稳定型的六方晶系α 2016年6月24日 本论文与课题组的科研发展方向相结合，从常压固相烧结碳化硅（SSiC）及常压液相烧结碳化硅（LSiC）两种陶瓷的表面及内部缺陷的角度，系统的开展SiC陶瓷缺陷与力学性能关系的研究，将陶瓷材料缺陷的无损检测和力学性能的研究相结合，为陶瓷常压烧结碳化硅陶瓷缺陷对力学性能的影响规律研究 - 豆丁网
了解更多
2011年11月21日 以碳化硅粉体为原料, 以 C 和 B4C 为烧结助剂, 依次通过湿法球磨、烘干、过筛得到粉体原料, 通 过干压、冷等静压成型工艺制备陶瓷素坯 , 然后在 碳管炉中氩气气氛下、2200℃保温 1 h 高温烧结后 制备得到常压固相烧结碳化硅陶瓷(SSiC)材料. 1.2 性能检测和2018年1月11日 1 实验过程 实验中选用的碳化硅粉体(α-SiC, SIKA, FCP15 , Norton, Norway)主要为6H-SiC, 平均粒径为0.4 µm, 氧含量约为0.82wt%。烧结助剂碳化硼平均粒径为0.25 µm, 添加量为0.6wt%(占粉体总量); 烧结助剂无机碳源为碳黑(火炬牌, 具体形貌与物相见图1), 有机碳源为酚醛树脂, 其在Ar气氛条件下的热分解差热-热重(DTA-TG ...碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响
了解更多
2021年10月1日 常压烧结碳化硅（SSiC ） 发布日期：2021-10-01 14:10:35 导读:LM机器是一家生产矿山机械的大型企业，热销设备包括：颚破、反击破、圆锥破、移动破碎机、制砂机、雷蒙磨、超细立磨等，满足众多领域的使用需求，如果您想了解设备详细型号报价 ...2023年4月25日 无压烧结又称为常压烧结，是相对于压力烧结而言的，又可分为固相烧结和液相烧结。 1.固相烧结 在α-SiC/β-SiC 粉体（亚微米 ...陶瓷3D打印碳化硅烧结技术分享之二：无/常压烧结SiC - 哔 ...
了解更多
2021年11月15日 常压烧结碳化硅 产品 来源：CNKI 3. 热压烧结 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。热压烧结由于加热加压同时进行，粉料处于 ...碳化硅烧结陶瓷-联系电话地址 上海市长宁区定西路1295号山东 潍坊市坊子区 翠坊街中 段 山东 临沭县 滨海西街西段 山东 安丘市 市北区 山东 潍坊市坊子区 西七马路 二号*** *** *** ***3、常压烧结 （无压烧结）SSiC*** *** *** ***简介含有C、B4C元素作为烧结碳化硅烧结陶瓷 - 百度文库
了解更多
2023年10月7日 接下来，我们来看看反应烧结碳化硅。反应烧结碳化硅 是一种通过在高温下将碳化硅粉末与其他原料混合，然后通过加热使其发生化学反应，从而实现致密化的方法。这种方法的特点是产品的性能高，但生产生产成本也较高。因此，反应烧结 ...2022年2月14日 产品概要： KCE 常压烧结碳化硅（SSiC）由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂，在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成，是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温（1600℃）状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能...常压烧结碳化硅-翻译为英语-例句中文 Reverso Context
了解更多
为了研究维氏压痕裂纹对常压固相烧结碳化硅陶瓷(SSiC)材料力学性能的影响,通过扫描电镜观察了0.1～100 N的压痕载荷下产生的表面裂纹及裂纹剖面的状况,并测试了相应载荷下的力学性质,探讨了压痕法测量SSiC材料硬度、韧性等力学性质的适当压力载荷.结果表明,SSiC材料压痕裂纹起始的临界压力载荷 ...上海德宝密封件有限公司成立于2001年，位于上海市宝山高新技术产业园区园泰路333号，建筑面积30200平方米，公司现有员工298名，拥有完整的碳化硅材料生产线。碳化硅密封环机械密封环干气密封环碳化硅动静环SIC反应 ...
了解更多
原材料:使用高纯度、超细碳化硅粉末作为主要材料。 烧结辅助材料:添加少量烧结助剂，以促进烧结过程。 烧结条件:在惰性气体环境或真空条件下，材料在 1950°C 至 2100°C 的温度下烧结。 3.无压烧结碳化硅的特性 机械性能:烧结后的陶瓷具有高硬度、极高的2014年7月5日 以常压烧结碳化硅陶瓷材料(SSiC陶瓷)为研究对象,开展陶瓷表面裂纹及其对力学性能影响的研究.结果表明,当裂纹尺寸小于40μm时,SSiC陶瓷的弯曲强度迅速降低55%;裂纹尺寸约50μm以后,弯曲强度的下降趋于平缓.通过曲线拟合及实验验证得到了弯曲强度对不同常压烧结碳化硅陶瓷的表面裂纹对其力学性能的影响 - 百度学术
了解更多
2022年2月14日 产品概要： KCE 常压烧结碳化硅（SSiC）由精细的碳化硅粉末混合烧结助剂，在2000-2200 ℃的惰性气氛中烧结而成，是具有更高性能的碳化硅陶瓷。KCE 常压烧结碳化硅在高温（1600℃）状态下能长时间保持高强度和超耐腐蚀性能。KCE 常压烧结碳化硅具有更好的抗热震、导热和高耐磨性能...2014年7月4日 摘要: 介绍了大口径轻质碳化硅反射镜镜坯的基本结构、性能测试指标、国内应用及发展前景；阐述了碳化硅凝胶注模成型（Gel-casting）、反应烧结SiC（RB-SiC）与压力成型、常压烧结SiC（SSiC）两种国内主要制备大口径轻质碳化硅反射镜的方法；并对两种方法制备得到的1.45 m碳化硅镜坯的性能、测试 ...大口径轻质SiC反射镜的研究与应用
了解更多
摘要： 为了研究维氏压痕裂纹对常压固相烧结碳化硅陶瓷(SSiC)材料力学性能的影响,通过扫描电镜观察了O.1-100N的压痕载荷下产生的表面裂纹及裂纹剖面的状况,并测试了相应载荷下的力学性质,探讨了压痕法测量SSiC材料硬度,韧性等力学性质的适当压力载荷.结果表明,SSiC材料压痕裂纹起始的临界压力 ...华硕常压烧结碳化硅HS-SiC 反应结合碳化硅 碳化钨 氧化铝 成分 SiC SiC+10%Si WC+6%Co A1 2 O 3 密度 华硕常压烧结碳化硅HS-SiC 3.10 反应结合碳化硅 3.00 碳化钨 14.50 氧化铝 3.93 破坏韧性 华硕常压烧结碳化硅HS-SiC ...上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司
了解更多
2009年5月12日 摘要： 一种常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法,采用固相常压烧结方法,以亚微米级碳化硅粉,石墨粉和碳化硼粉为主原料,包括以下步骤:1)采用分段球磨方式进行磨料,先在pH值为10-12的环境下加水球磨主原料,将团聚的碳化硅微粉和其它主原料分散均匀;然后添加增塑剂,润滑剂和水溶性酚醛树脂再球磨一段 ...Boostec 碳化硅（SiC） 美尔森 Boostec 公司专注生产烧结碳化硅，并致力于产品的 创新 和 开发。 可以帮助客户设计碳化硅产品，以 确保更好的可行性，降低风险，并降低成本和缩短交付周期。 在某些应用中，碳化硅 产品还可以涂覆CVD（化学气相沉积）涂层，从而使产品表明纯度提高 美尔森 Boostec® 烧结碳化硅 SIC 密封圈 空间光学
了解更多
2021年4月6日 常压烧结碳化硅是在不施加外部压力的情况下，即通常在1.01×10 5 Pa压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在2000～2150℃间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。碳化硅的常压烧结可分固相烧结和液相烧结两种工艺。（常压烧结碳化2019年7月5日 实验研究了干摩擦和水润滑条件下,常压固相烧结碳化硅陶瓷(SSiC)及常压液相烧结碳化硅陶瓷(LPSiC)分别与碳化钨(WC)组成的硬面 ...碳化硅/碳化钨硬面密封摩擦副的摩擦磨损性能和机理研究
了解更多
2023年11月16日 烧结，是3D打印成形之后的关键环节。目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。升华三维总结了基于其PEP 3D打印工艺成形碳化硅之后的反应烧结和无压烧结的不同。 欢迎转发2016年4月22日 碳化硅(SiC)陶瓷具有高热导率、耐磨损、抗氧化以及良好的高温力学性能,是应用广泛的高温结构陶瓷之一 [1,2]。在有色金属熔铸领域, SiC陶瓷也因其良好的抗熔液腐蚀特性而受到关注 [3,4]。但是,SiC陶瓷的高共价键性使其硬度高,脆性大,难于机械加工,难以作为复杂元件及抗热冲击元件使用。浸渍热解对常压烧结SiC/h-BN陶瓷力学性能的影响
了解更多
上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司是专业生产特种陶瓷材料--常压烧结碳化硅精密制品的企业，成立至今始终致力于常压烧结碳化硅精密制品的研制、开发与生产，也是国内较早专业从事常压烧结碳化硅研发及生产的企业，在国内率先突破常压烧结碳化硅各种关键技术，并成功进行大规模工业生 常压烧结的窑炉也有隧道窑、钟罩窑和箱式窑炉等。特种陶瓷 的常压窑炉通常烧结温度较高，达1500℃-2000℃。 在空气中加热的常用氧化锆、MoSi等材料，而在真空中或保护气氛中加热，则选用钨、钼和钽等金属电阻材料和石墨电阻。常压烧结 - 百度百科
了解更多