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2024年8月14日 碳化硅器件制备的完整产业链可分为衬底加工——外延生长——器件设计——制造——封测等步骤，国内目前已催生出一批优质企业并实现碳化硅制造的全产业链覆盖，正在 2024年9月20日 此外据悉，9月9日， Wolfspeed推出一款用于1500V直流母线的2300V无底板碳化硅电源模块，采用其最先进的8英寸碳化硅晶片技术。 该产品旨在通过提高效率、耐用性、 8英寸碳化硅之争，正燃-全球半导体观察
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2024年6月1日 在各个碳化硅行业企业的业务规划中，作为硅片半导体的替代品，碳化硅产业仍处于技术发展的成长期，当前各家碳化硅上市企业对碳化硅产业的发展规划大同小异，大多数企业规划加大对碳化硅产业的技术研发、产品创新 2024年8月22日 Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，公司目前关注两个优先事项：一是优化资本结构，以满足短期和长期需求；二是推动最先进的200毫米工厂（Mohawk Valley）生产 芯趋势丨全球碳化硅技术竞速，拐点在2025年揭晓？ - 21经济网
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臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室. 2020年6月22日. 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易 2022 年 12 月 15 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市讯 – 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc.（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于近日宣布与某家全球领先功率器件企业扩展现有的多 Wolfspeed 与某全球领先半导体企业扩展并延伸碳化硅晶圆 ...
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2010年1月1日 中国碳化硅行业深度调研及投资前景预测报告，首先介绍了碳化硅的基本概念、影响国内碳化硅发展的经济环境、国际环境、政策环境、技术环境及产业环境。. 接着分析了碳 2023 年 7 月 5 日，日本东京市、美国北卡罗来纳州达勒姆市讯 – 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代 瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议
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2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层2024年9月24日 技术说明，供编辑参考 与前几代产品相比，意法半导体的第四代 SiC MOSFET 的问世，代表意法半导体在电源转换技术上取得了重大进展。第四代碳化硅具有出色的性能和稳健性，能够满足未来电动汽车电驱逆变器的严格要求。意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电 ...
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2020年6月22日 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实 2024年7月1日 与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。 由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术-全球半导体观察
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2024年5月30日 碳化硅（SiC）行业分析报告：全球碳化硅行业专利技术在21世纪初得到初步发展，这一时期碳化硅专利申请人数量和申请量处于较低水平。随后专利申请量整体处于增长趋势，申请人数量则呈现波动增长趋势。2022全球碳化硅行业专利技术申请量或申请人数量整体达到最高水平，整体来看，全球碳化硅 ...2024年10月13日 与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。 由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术-集邦化合物半导体
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2023年3月15日 技术难点成功突破优势 栅氧是MOSFET研发中较核心的工艺，所以我们通过模拟监控进行监控测试，包括物理监控、电性监测等检控方式，以此保证可以提供给客户更优良稳定的产品，下面通过这几项监测进行模拟实验。 1.2024年7月4日 碳化硅（SiC）行业分析报告：依据企业的碳化硅技术进步、产业布局等综合方面综合判断，可将当前参与碳化硅产业生产的企业分为3个竞争梯队。其中，三安光电、天域半导体、比亚迪属于第一梯队，这些企业在碳化硅产业上拥有较为完整的产业链，可以实行碳化硅基芯片及器件的生产制造;天岳 ...【行业深度】洞察2024：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额 ...
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2024年9月11日 在碳化硅热贴技术方面，硅酷科技现已攻克精度达到数微米的碳化硅预烧结热贴技术，有望于2025年实现重复精度为1-2um的TCB（Thermal Compression Bonding，热压键合）工艺，以进一步推动芯片互联键合技术国产化发展。2021年12月30日 请务必阅读正文之后的免责条款部分 全球视野本土智慧 Page5 碳化硅：能量转换链的材料变革 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具 备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。碳化硅：能量转换链的材料变革
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2024年8月22日 这印证了8英寸碳化硅晶圆材料正有望为碳化硅产业链带来更好的财务表现，也是国内外目前都在积极布局的技术落点。 天岳先进在财报中提到，从长期降低器件成本上，公司推动行业向8英寸碳化硅衬底转型，不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化，还已率先实现海外客户批量销售。受业主委托，中国采招网于2023年11月08日发布牡丹江市经济技术开发区高端碳化硅陶瓷项目项目;项目简介： 项目代码 2311-231071-04-01-691524 项目名称 牡丹江市经济技术开发区高端碳化硅陶瓷项目项目 项目类型 备案类 项目法人 ...牡丹江市经济技术开发区高端碳化硅陶瓷项目项目 - 采招网
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2 天之前 碳化硅在光伏逆变器中的应用有助于提高系统效率、可靠性和性能，随着碳化硅器件成本的进一步降低和性能的提高，预计未来会有越来越多的光伏逆变器采用碳化硅技术，也就意味着更多光伏厂商通过自研、合作等方式涉足碳化硅产业。2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 - Arrow
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2024年8月14日 半绝缘型碳化硅衬底指电阻率高于105Ωcm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底指电阻率在15~30mΩcm的碳化硅衬底。 2、产业链2023年12月17日 本轮领投方是国际知名投资机构，跟投方是由新股东商络电子和老股东渶策资本持续加码，云岫资本担任本轮独家财务顾问。超芯星：实现大尺寸碳化硅材料自主可控 2019年，超芯星在南京成立，是一家碳化硅领域的技术先行者。商道创投网会员动态｜超芯星完成数亿元C轮融资碳化硅c轮 ...
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技术顾问协议书(一)-签字： 日期：2. 技术顾问服务费用根据具体项目确定，双方应在协议签订后 的[具体时间]内商定，并以书面形式确认。3. 甲方应按照约定的时间和方式支付技术顾问服务费用。三、保密条款：1.2024年7月24日 产品技术上，安森美近日推出了最新一代碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET，并计划在2030年前推出多代新产品。 EliteSiC M3e MOSFET在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。碳化硅厂商，忙得不亦乐乎-全球半导体观察
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2024年9月27日 工厂年产能预计包括7.2万片碳化硅外延晶圆、7.2万个MOSFET和模块，产品将应用于电动汽车、汽车及可再生能源领域。 印度和泰国的碳化硅工厂建设计划不仅加速了两国在半导体行业的发展，也标志着全球在碳化硅技术和应用方面的持续进展。 封面图片2010年1月1日 中国碳化硅行业深度调研及投资前景预测报告，首先介绍了碳化硅的基本概念、影响国内碳化硅发展的经济环境、国际环境、政策环境、技术环境及产业环境。接着分析了碳化硅产业链结构、国内碳化硅行业的发展状况及碳化硅进出口规模，然后对碳化硅器件的重点应用领域进行了系统分析，还对 ...碳化硅行业研究报告-中国碳化硅行业深度调研及投资前景预测 ...
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2022年3月22日 白泽交易 碳化硅赛道技术黑马「忱芯科技」获近亿元Pre-A轮融资，白泽资本担任独家财务顾问 发布时间：2022-03-22 感谢白泽资本对忱芯本轮融资的大力支持。在合作过程中，白泽团队 体现了极强的专业素养和追求极致的服务 ...2024年9月29日 到 2027 年，ST 计划推出多项碳化硅技术创新，包括一项突破性创新 2024年 9 月 27 日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电 ...
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碳化硅各类制品技术条件及检测方法-2.碳化硅脱氧剂分析主要依据《JB/T 5204-2018碳化硅脱氧剂化学分析方法》标准检测，该标准规定了氯化钠、碳、碳化硅、二氧化硅、硅、三氧化二铁、氧化钙、氧化镁、三氧化二铝、硫及磷的测定方法。3.含碳化硅 ...2024年7月8日 基于碳化硅半导体广阔的应用前景，国际领先的衬底厂商已经开始向 8 英寸碳化硅衬底产能建设布局，国际一线芯片制造厂商也纷纷计划扩大8 英寸碳化硅晶圆制造，以争夺产业高地。总投资额为 38,573.72 万元。8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目-中投顾问投资大数据
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8英寸碳化硅时代呼啸而来！ 湖南三安2024年已达成多项合作 三星加码氮化镓功率半导体 氮化镓激光芯片厂商镓锐芯光完成天使轮融资 国家队加持，芯片制造关键技术首次突破 300亿半导体芯片项目进入收尾阶段 24万片，普兴电子即将扩产6英寸碳化硅外延2020年3月18日 据了解，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。此前，这项技术只掌握在美国人手里，近几年，山西烁科晶体有限公司经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。碳化硅：带动山西半导体产业集群发展-全球半导体观察
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2020年6月27日 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率，同时降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅2024年6月20日 国家队加持，芯片制造关键技术首次突破 300亿半导体芯片项目进入收尾阶段 24万片，普兴电子即将扩产6英寸碳化硅外延片 第四代半导体氧化镓蓄势待发！ 碳化硅相关技术实现新突破又发生一起碳化硅合作案！-全球半导体观察
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2024年1月18日 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布，与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅...
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