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2024年3月7日 目前，碳化硅晶体的生长技术和器件的制造工艺已达到高水平成熟度，并在全球范围内形成了完整的材料、器件和应用领域产业链。尽管技术已日趋成熟，但生产高性能碳化硅 2023年4月28日 研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎
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2024年2月1日 经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。. 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工 2023年10月31日 本文将介绍萨普新材的碳化硅晶片减薄砂轮与磨削技术，从磨削过程中的晶圆损伤机理，到晶圆的粗磨和精磨减薄，用金刚石砂轮实现低损伤和高切削速率的晶圆薄化加工。碳化硅晶片减薄砂轮与磨削技术分享； - 知乎
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2019年6月21日 单晶SiC 基片高效超精密磨粒加工技术基础研究. 项目全面揭示新一代半导体材料单晶碳化硅在各种磨粒作用下的表现特征与行为机制，从源头上解决 SiC 单晶基片高效平坦化 碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究. 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于 碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术
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围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究.本论 2024年2月27日 碳化硅 (SiC) 粘结金刚石材料包含约 50% 体积的金刚石，代表了具有卓越机械和热性能的创新复合材料，包括高硬度、耐磨性和耐腐蚀性以及较高的导热性。 尽管具有这些 创新型超硬碳化硅结合金刚石 (DSiC) 材料的激光辅助表面磨削
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摘要： 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及超精密加工中难以达到良好的精度及表面质量,同时生产效率低,生产成本过高,而金刚石超精密磨削加工技术的发展使碳化硅 围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究.本论文主要包含以下几个方面: (1)通过激光烧蚀环槽实验分析了红外亚纳秒碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术
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2024年6月11日 碳化硅磨料碳化硅磨料，作为一种重要的工业原料，被广泛应用于磨削、抛光、切割等领域。它的硬度高、耐磨性好、热稳定性强等特点，使得它在现代工业生产中扮演着举足轻重的角色。2024年2月4日 碳化硅晶片的化学机械抛光技术（CMP）是一种先进的表面处理技术，结合化学腐蚀和机械研磨的方法，通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备，实现对碳化硅晶片表面的精细处理，达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。SiC的化学机械抛光技术：实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...
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2022年10月28日 抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅单晶衬底表面发生化学反应，生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜，反应膜在磨粒的机械磨削作用下被去除，从而露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，如此周而复始的进行，是表面逐渐被抛光修2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中最大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉 ...碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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2022年10月9日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。2024年2月18日 刻蚀技术是SiC器件研制中的一项关键支撑技术,在SiC器件制备过程中,刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对SiC器件的研制和性能有致命的影响。目前, SiC材料的刻蚀多采用干法刻蚀,其中电感耦合等离子体(ICP)刻蚀广泛应用,其特点是低压高半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎
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全盘了解本书一、二卷所介绍的有关磨削技术的整个领域，对工艺工程师，特别是对正在进入这一领域的人或者主要从事其他生产专业而涉及磨削技术的人来说，将会比较透彻的领会磨削这一整套重要的生产方法。2024年2月29日 碳化硅单晶衬底的生产 流程 01 原料准备 物理气相传输法（PVT）需要将Si和C按1:1合成SiC多晶颗粒粉料，其粒度、纯度都会直接影响晶体质量，特别是半绝缘型衬底，对粉料的纯度要求极高（杂质含量低于0.5ppm ...碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 - 知乎
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2023年9月25日 摘要： 硬脆材料因其优异的物理与化学性质广泛应用于5G通讯、航空航天、电子电力等领域，高效率的超精密磨削技术是其加工流程中的重要一环。为了提高硬脆材料加工质量，需要对超精密磨削技术进行系统化的深入研究。本文从超精密磨削装备设计优化的角度出发，对自旋转磨削、双面磨削和磨 ...2023年4月26日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气相沉积 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
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2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、 2024年5月6日 针对碳化硅晶片进行了磨削实验，结果表明， 相较于普通金刚石，其材料去除率提高了 1.1 倍，磨 削后的碳化硅晶片表面粗糙度降低了 76%，提高了对 碳化硅晶片的磨削效率，制备的 M35/55、M2/4 微刃 化金刚石如图 5b、c 所示。超精密晶圆减薄砂轮及减薄磨削装备研究进展_技术_磨料磨具 ...
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2019年9月2日 由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力，碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。2023年5月4日 陶瓷精雕机生产碳化硅 陶瓷的机械加工方法效率高，因而在工业上获得广泛应用，特别是金刚石砂轮磨削、研磨和抛光较为普遍。碳化硅陶瓷其他加工方法大多适用于打孔，切制或微加工等。切割时大多用金刚石砂轮进行磨削切割，打孔时按照不 ...碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 - 知乎
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2024年5月6日 针对碳化硅晶片进行了磨削实验，结果表明， 相较于普通金刚石，其材料去除率提高了 1.1 倍，磨 削后的碳化硅晶片表面粗糙度降低了 76%，提高了对 碳化硅晶片的磨削效率，制备的 M35/55、M2/4 微刃 化金刚石如图 5b、c 所示。2017年8月2日 磨削用量对超声辅助磨削碳化硅效果的影响 丁凯1，傅玉灿2，苏宏华2，徐鸿翔1，崔方方1，李奇林1 1江苏理工学院；2南京航空航天大学 摘要：超声辅助磨削是一种适于加工陶瓷等硬脆材料的先进复合加工技术。在超声振动方向垂直于加工表磨削用量对超声辅助磨削碳化硅效果的影响 - chinatool
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2023年10月30日 碳化硅的薄化主要通过磨削与研磨实现，但碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。目前多使用自旋转磨削，晶片自旋转的同时主轴机构带动砂轮旋转，同时砂轮向下进给，实现减薄。2023年3月2日 （报告出品方：华创证券）一、DISCO：全球半导体切磨抛设备材料巨头 （一）专注半导体切割、研磨、抛光八十余载，产品布局完善 日本迪思科株式会社（DISCO Corporation）成立于 1937 年，是一家专注于“Kiru（切）、 Kezuru（磨）、Migaku（抛）”技术的全球知名半导体设备厂商。公司产品矩阵以切、磨 ...半导体行业专题研究报告：半导体切磨抛装备材料的国产化趋势
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2022年1月21日 碳化硅晶片生产 工艺流程 碳化硅晶片生产流程 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件 ...2017年11月22日 一.立方碳化硅的简介 图1.β-SiC晶体结构 SiC主要包括两种晶型，α-SiC和β-SiC（如图1）。其中β-SiC就是立方SiC，在SiC原料制备过程中，3C结构的β-SiC择优形成，甚至有实验观察到在1400-1600℃温度范围内由2H-SiC向3C-SiC的相变，如图2所 ...立方碳化硅粉体特性及其应用_技术_涂附磨具网
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2023年10月27日 碳化硅器件的生产流程，碳化硅有哪些优劣势？-中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要 2019年6月21日 项目全面揭示新一代半导体材料单晶碳化硅在各种磨粒作用下的表现特征与行为机制，从源头上解决 SiC 单晶基片高效平坦化阶段的瓶颈问题。 提出并攻克基于凝胶原理的超细金刚石半固着磨削工具制备中的关键技术并研究其关键科学问题，实现单晶碳化硅基片的高效率研磨与超光滑抛光。单晶SiC 基片高效超精密磨粒加工技术基础研究 - hqu.cn
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2023年11月4日 它适合于磨削韧性好的不锈钢、高钒高速钢和其它难加工材料，超精密磨削中也有应用。 2)碳化硅 ... ② 磨削深度较小，工件的磨削余量需经多次纵向进给切除，机动时间较长，生产效率较低。 ③ 磨削力较小，适用于加工细长、精密或薄壁的 ...2024年8月8日 为了能够增加单批次芯片的产量并减少边缘损耗，降低生产成本，衬底大型化成了碳化硅晶圆发展的必然趋势，尤其是近年来碳化硅在电动车主驱上渗透 迅猛，市场对8英寸SiC衬底的需求变得更加迫切。目前，行业内8英寸SiC单晶的生长技术已经 ...碳化硅晶圆进入8英寸时代！研磨抛光环节该如何破局 ...
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2022年5月25日 本文主要介绍了厦门大学精密工程实验室在光学超精密加工技术 与装备方面的研究进展，围绕大口径光学非球面元件的磨削与抛光加工，阐述课题组研发的加工工艺、磨削与抛光装备、装备监控与控制软件以及相关单元技术。这些研究成果可为 ...2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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2024年10月18日 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。2022年4月24日 碳化硅的高度共价键特性及其极低的扩散系数导致其烧结致密化难度大，为此发展出了多种碳化硅的烧结制备技术。目前，较为成熟的工业化生产碳化硅陶瓷材料的主要方式有反应烧结、常压烧结和重结晶烧结、热压烧结、热等静压烧结。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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